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力晶半导体日前宣布，其位于台湾地区新竹科学工业园区、总投资额近18亿美元的第二座12英寸晶圆厂(12B厂)正式破土动工。新厂主体结构将于2004年完工，届时将拥有14,000平方米洁净室，预计2005年第三季可以正式量产。力晶半导体董事长黄崇仁称，在未来三年内，力晶有信心成为世界DRAM产业的前三强。

黄崇仁还表示，力晶在其12A厂朝三万五千片最大月产能挺进的同时，即着手兴建满载月产能可达四万片的12B厂，突显出力晶不仅能持续提升工艺技术，更可快速掌握量产规模经济效益的优势。未来力晶的两座12英寸晶圆厂将专注最先进DRAM产品制造，原有的8英寸厂则全线转为利基型晶圆代工服务。

力晶总经理谢再居指出：“配合长期技术合作伙伴日商尔必达(Elpida)，未来力晶12B厂将发展0.1微米以下尖端工艺技术，除制造最新一代的DRAM产品外，也计划导入更多元化的内存产品线。”

据了解，目前力晶12A厂的工艺技术已和世界大厂同步，生产0.13微米量产DRAM，并计划第四季逐步转入0.11微米量产。力晶还计划于2004年第二季导入Elpida的0.1微米生产工艺。同时，瑞萨科技(Renesas Technology Co.)和三菱电机也是力晶在合作伙伴，为力晶提供相关的DRAM和多元化的内存工艺技术。